Вікіпедыя

Транзістар: Розніца паміж версіямі

Інтэрактыўны прагляд гісторыі
[недагледжаная версія][недагледжаная версія]
← Папярэдняя праўкаНаступная праўка →
Змесціва выдалена Змесціва дададзена
ВізуальнаВікіразметка
арфаграфія, НК
Paganetz (размовы | уклад)
1 675 правак
Няма тлумачэння праўкі
Радок 1:
{{арфаграфія}}
[[File:Transistors-white.jpg|thumb|250px|Фатаздымкі некаторых тыпаў дыскрэтных транзістараў]]
'''Транзі́стар''' (ад {{lang-en|transfer}} — пераносіць і ''resistor'' — супраціўленне) — трохэлектродны [[паўправаднік]]овы электронны прыбор, у якім [[Электрычны ток|ток]] у ланцугуконтуры двух электродаў кіруецца трэцім электродам.
 
Кіраванне тока ў выходным ланцугуконтуры ажыццяўляецца за кошт змянення ўваходнага токутока (у біпалярным транзістары), або ўваходнага [[Электрычнае напружанне|напружання]] (у палявым транзістары). Невялікае змяненне ўваходных велічынь можа прыводзіць да істотна большага змянення выхаднога напружання і токутока.
 
Гэтая ўзмацняльная якасць транзістараў выкарыстоўваецца ў аналагавай тэхніцы (аналагавыя ТБ, радыё, сувязь і г. д.). У наш час у аналагавай тэхніцы дамінуюць біпалярныя транзістары (міжнародны тэрмін — BJT, bipolar junction transistor).
Іншым важнейшым ужываннем транзістараў з'яўляецца лічбавая тэхніка (логіка, памяць, працэсары, [[камп'ютар]]ы, лічбавая сувязь і г. д.).
 
Уся сучасная лічбавая тэхніка заснавана на МАП (метал-аксід-паўправаднік) транзістарах (МАПТ). Часам іх называюць МДП (метал-дыэлектрык-паўправаднік) транзістары, міжнародны тэрмін — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзістары вырабляюцца ў рамках інтэгральнай тэхналогіі на адным крэмніевым крышталі (чыпе) і з'яўляюцца элементарнай часткай для пабудовы памяці, працэсара, логікі і г. д. Памеры сучасных МАПТ састаўляюцьскладаюць ад 130 да 45 [[нанаметр|нм]]. На адным чыпе (звычайна памерам 1—2 см²) змяшчаюцца сотні мільёнаў МАПТ. На працягу 60 год адбываецца змяншэнне памераў (мініятурызацыя) МАПТ і павелічэнняпавелічэнне іх колькасці на адным чыпе (ступень інтэграцыі), у бліжэйшыя гады чакаецца павелічэнне ступені інтэграцыі да мільярдаў транзістараў на чыпе. Памяншэнне памераў МАПТ прыводзіць таксама да павелічэння хуткадзейнасці працэсараў (тактавай частаты).
 
Кожную секунду сёння ў свеце вырабляюць паўмільярда МАП транзістараў{{крыніца?}}.
Радок 20:
У [[1947]] г. [[Уільям Шоклі]], [[Джон Бардзін]] і [[Уолтэр Братэйн]] у лабараторыях [[Bell Labs]] упершыню стварылі дзеючы [[біпалярны транзістар]], які прадэманстравалі [[16 снежня]]. [[23 снежня]] адбылося афіцыйнае прадстаўленне вынаходніцтва і менавіта гэта дата лічыцца днём стварэння транзістара. Паводле тэхналогіі вырабу ён адносіўся да класу дакладных транзістараў. У [[1956]] г. яны былі узнагароджаны Нобелеўскай прэміяй па фізіцы «за даследаванне паўправаднікоў і адкрыццё транзістарнага эфекту». Цікава, што Джон Бардзін у хуткім часе быў адзначаны Нобелеўскай прэміяй у другі раз за стварэнне [[звышправоднасць|тэорыі звышправоднасці]].
 
Пазней транзістары замянілівыціснулі [[Электронная лямпа|вакуумныя лямпы]] ў большасці электронных прыстасаванняў, скончыўздзейсніўшы тым рэвалюцыю ў стварэнні [[інтэгральная схема|інтэгральных схем]] і [[камп'ютар]]аў.
 
Bell была патрэбная назва новагановый прыстасаванняпрылады. Прапаноўвалася назваць яго «паўправадніковы трыёд» (semiconductor triode), «Solid Triode», «Surface States Triode», «крысталічны трыёд» (crystal triode) і «Iotatron», але слова «транзістар» (transistor), якое прапанаваў [[Джон Пірс]], перамагло ва ўнутраным галасаванні.
 
Першапачаткова назва «транзістар» адносілася да [[рэзістар]]аў, якія кіруюцца напружаннем. Паколькі транзістар можна ўявіць як супраціўленне, якое рэгулюецца напружаннем на адным электродзе (у [[палявы транзістар|палявых транзістараў]], для якіх гэта аналогія больш правільная — напружаннем на засаўцы, у [[біпалярны транзістар|біпалярных транзістараў]] — напружаннем на базе альбо токам базы).
Радок 47:
Па магутнасці выдзяляюць ''маламагутныя транзістары'' (рассейваемая магутнасць парадку міліватаў), ''транзістары сярэдняй магутнасці'' (ад 0,1 да 1 Вт рассейванай магутнасці) і ''магутная транзістары'' (звыш 1 Вт).
 
Па выкананню выдзяляюць ''дыскрэтныя'' транзістары (''карпусныякорпусныя'' і ''бескарпусныябескорпусныя'') і транзістары ў складзе [[інтэгральная схема|інтэгральных схем]].
 
== Гл. таксама ==
Узята з "https://be.wikipedia.org/wiki/Транзістар"