Тэхналагічны інстытут Джорджыі
Тэхналагічны інстытут Джорджыі (англ.: Georgia Institute of Technology) — амерыканская вышэйшая навучальная ўстанова са статусам даследчага ўніверсітэта, якая знаходзіцца ў горадзе Атланта, штат Джорджыя. Заснаваны ў 1885 годзе як Тэхналагічная школа Джорджыі[2].
Тэхналагічны інстытут Джорджыі | |
---|---|
англ.: Georgia Institute of Technology | |
Арыгінальная назва | англ.: Georgia Institute of Technology |
Заснаваны | 1885 |
Тып | дзяржаўны ўніверсітэт |
Студэнты | 36 489[1] |
Краіна | |
Размяшчэнне | Атланта, Джорджыя, ЗША |
Сайт | gatech.edu |
Медыяфайлы на Вікісховішчы |
Вядомыя выпускнікі
правіць- Джэймс Эрл Картэр — 39-ы прэзідэнт ЗША.
- Кэры Муліс — лаўрэат Нобелеўскай прэміі па хіміі.
- Рычард Трулі — амерыканскі астранаўт.
Зноскі
- ↑ https://www.usg.edu/assets/research/documents/enrollment_reports/SER_Fall_19_Final.pdf
- ↑ History and Traditions (англ.). Праверана 25 красавіка 2020.
Спасылкі
правіць- На Вікісховішчы ёсць медыяфайлы па тэме Тэхналагічны інстытут Джорджыі
- Афіцыйны сайт універсітэта (англ.) (Праверана 9 ліпеня 2023)