Фотаэфект: Розніца паміж версіямі

'''Першы закон фотаэфекту''': ''Сіласіла фотатоку прама прапарцыйная шчыльнасці [[Светлавы паток|светлавога патоку]]''.

'''Трэці закон фотаэфекту''': ''для кожнага рэчыва існуе чырвоная мяжа фотаэфекту, г.зн. найменшая частата святла <math>\nu_0</math> (або найбольшая даўжыня хвалі {{math | ''λ''₀}} ), пры якой фотаэфект яшчэ магчымы фотаэфект, і калі <math>\nu<\nu_0,</math>, то фотаэфект ужо не адбываецца''.

Тэарэтычнае тлумачэнне гэтых законаў даў у [[1905]] г. [[Альберт Эйнштэйн|А. Эйнштэйн]]. Згодна зПаводле імЭйнштэйна, электрамагнітнае выпраменьванне ўяўляе сабой струменьпаток асобных квантаў ([[фатон]]аў) з энергіяй {{math |'' h'' ν}} кожны, дзе {{math |'' h''}} — [[пастаянная Планка]]. Пры фотаэфекце частка электрамагнітнага выпраменьвання ад паверхні металу адбіваецца, а частка пранікае ўнутр павярхоўнагапаверхневага пласта металу і там паглынаецца. Паглынуўшы фатон, электрон атрымлівае ад яго энергію і, здзяйсняючы [[работа, фізіка|работу]] выхаду {{math | ''φ''}}, пакідае метал:

:<math> h\nu = \varphi + \frac{mv^2}{2}, </math>,

дзе {{math|''φ''}} — т. зв. работа выхаду (мінімальная энергія, неабходная для выдалення электрона з рэчыва), <math>\frac{mv^2}{2}</math> — максімальная кінетычная энергія электрона, <math>\nu</math> — частата падаючага фатона з энергіяй <{{math> |'' h\nu</math>'' ν}}.

Важнай колькаснай характарыстыкай фотаэфекту з'яўляецца квантавы выхад Y — колькасць эмітаваных электронаў у разліку на адзін фатон, які падае на паверхню цела. Велічыня Y вызначаецца ўласцівасцямі рэчыва, станам яго паверхні і энергіяй фатонаў. Квантавы выхад фотаэфекту з металаў у бачнай і блізкайбліжняй УФ-абласцях Y <0,001 электрон / фатон. Гэта звязана перш за ўсё з малою глыбінёй выхаду фотаэлектронаў, якая значна меншая за глыбіню паглынання святла ў метале. Большасць фотаэлектронаў рассейвае сваю энергію да падыходу да паверхні і губляе магчымасць выйсці ў вакуум. Пры энергіі фатонаў паблізукаля парога фотаэфекту большасць фотаэлектронаў узбуджаецца ніжэй за ўзровень вакууму і не дае ўкладу ў фотаэмісійны ток. Акрамя таго, каэфіцыент адбівання ў бачнай і блізкайбліжняй УФ-абласцях вялікі і толькі малая частка выпраменьвання паглынаецца ў метале. Гэтыя абмежаванні часткова здымаюцца ў далёкайдальняй УФ-вобласці спектру, дзе Y дасягае велічыні 0,01 электрон / фатон пры энергіі фатонаў E > 10 эв.